Tecnología ultrasónica del espray para la capa de la célula solar
La tecnología ultrasónica del espray se utiliza en ambos los usos del silicio cristalino fotovoltaico (c-Si) y de la película fina. La tecnología ultrasónica del espray cuando está comparada al vapor químico la tecnología (CVD), farfullando, capa de la vuelta, rueda la capa y las técnicas de la capa de la niebla pueden ser medios más rentables de depositar capas de la película fina sobre las células solares. Debido a la alta uniformidad de gotitas atomizadas y de su de baja velocidad durante el proceso de capa, altamente uniforme, capas gruesas del micrón puede ser formado en el c-Si y las células solares finas de la película. Las ventajas añadidas de la basura o del rociado (con pulverizador) mínima pueden también llevar a los ahorros materiales significativos.
La tecnología ultrasónica del espray se utiliza con las químicas siguientes:
Dopantes, amortiguadores, almacenadores intermediarios, materia orgánica, etc.
Dopantes ácidos bóricos
Amortiguadores del cloruro del cadmio (CdTe)
Sulfuro de cadmio (Cdes) – capa del almacenador intermediario usada en los CIGS, células de CdTe
Amortiguadores de cobre del selénido del galio del indio (CIGS o CIS)
Amortiguadores de cobre del sulfuro de la lata del cinc (CZTS)
El tinte sensibilizó las células solares orgánicas (DSC, DSSC o DYSC)
P3HT
PEDOT
PCBM
Dopantes a base de ácido fosfóricos en la formación del emisor
Puntos de Quantum (QD)
El espray ultrasónico de se ha utilizado con éxito para rociar una variedad de puntos de Quantum. Las películas de ZnO y los puntos de Quantum de los Cdes se han preparado usando técnicas ultrasónicas de la deposición de la pirolisis del espray en una parte del coste de CVD y los métodos de la farfulla.
Óxidos conductores transparentes (TCO)
Dióxido de la lata (SnO2)
Óxido de la lata del indio (ITO)
Óxido de cinc (ZnO) como nanowires en usos de DSC
Nanotubes del carbono (CNT)
Nanowires de plata (AGNW)
Graphene
Capas de los antireflejos (AR)
SiO2
TiO2
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